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當前位置: 首頁(yè) 產(chǎn)品中心 可靠性測試設備 動(dòng)態(tài)老化測試系統 動(dòng)態(tài)老化測試系統 高溫高濕動(dòng)態(tài)反偏老化測試系統 (DH3TRB2000)

高溫高濕動(dòng)態(tài)反偏老化測試系統(DH3TRB2000)

該系統針對SiC MOSFET進(jìn)行高溫高濕動(dòng)態(tài)反偏老化測試,測試方法參考AQG324。每個(gè)試驗區域可進(jìn)行最高10個(gè)工位的測試,工位具備獨立脈沖源配置??蔀槠骷峁藴?5℃/85%RH試驗環(huán)境。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。

功能
  • nA級別的漏電流檢測精度
  • 整機30s的全工位數據刷新
  • 獨特高壓抑制電路,器件瞬間擊穿不影響其他工位老化進(jìn)程
  • 可定制工位老化電壓獨立控制功能,實(shí)現單工位老化超限別除
  • 充分的實(shí)驗員人體安全考慮設定
產(chǎn)品特性

試驗溫度

室溫+10℃~125℃

試驗濕度

10%RH-98%RH

試驗方法

VGs,off = VGS,min and VGS on = VGS,max

老化測試區

16區

單區工位

8工位

電壓范圍

50V-1200V

電壓精度

檢測誤差:±1%±2LSB

脈沖控制

1.脈沖頻率(方波):10KHz~ 50kHz 精度:2%±2LSB
2.方波占空比20%-80%; 精度:
±2%
3.電壓上升率 (Dw/Dt) ≥30W/ns
4.電壓過(guò)沖<15%

VGS電壓測控范出

根器件定制

VGS精度:1%±0.2V

VGS過(guò)沖:≤10%

漏電流檢測

檢測范圍:100nA~30mA

精度:

第一檔0.1uA -1mA 分牌率0.1uA 漏電流測量誤差1%±2LSB

第二檔1mA~30mA 分辨率1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

整機供電

三相AC380V±38V

整機重量

1200KG(典型)

整機尺寸

1650mm(w)x1750mm(D)x1950mm(H)

適用標準

AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

適用器件

適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等,SIC、GAN