產(chǎn)品導航

高溫動(dòng)態(tài)柵偏老化測試系統(DHTGB2010)

該系統針對第三代SiC MOSFET具有動(dòng)態(tài)柵偏老化測試能力,每塊試驗區可獨立老化測試12工位,獨立12路可配置脈沖,測試柵極漏電流相互之間不干擾??蔀槠骷峁┦覝?10°C~200°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。

功能
  • 高速dv/dt>1V/ns
  • nA級漏電流測試
  • 閱值電壓測試
  • 可根據不同器件封裝、功率等要求,定制專(zhuān)用老化測試板
  • 充分的實(shí)驗員人體安全考慮設定
產(chǎn)品特性

試驗溫度

室溫+10℃~200℃(熱板形式加熱)

老化測試區

8區(可擴容)

單區工位

12(典型)

試驗方法

VDs =0VaVGS,off = VGS,min,recom and VGS,on =VGS,max

VGS電壓控制檢測

試驗控制范圍:±35V

檢測誤差:±1%±2LSB:電壓分辨率:0.01V

沖控制

1.脈沖頻率(方波):15KHz~500kHz; 精度:2%±2LSB

2.方波占空比5%~95%; 精度:±2%

3.動(dòng)態(tài)DGS試驗時(shí),柵極電壓斜率可達dv/dt>1V/ns(Ciss<5nF)

4.電壓過(guò)沖<10% (測試電壓幅度大于25V)

閥值電壓VGSTH

1.VGS電壓測控范圍:1~10V

2.分辨率為0.01V,精度:1%±0.01V

IGS漏電流檢測

檢測范圍:1nA-99.9uA

第一檔1nA -99nA 分辨率1nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

第二檔100nA -999nA 分辨率10nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

第三檔1uA~99.9uA 分辨率100nA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

整機供電

三相AC380V±38V

整機重量

700KG

整機尺寸

800mm(w)x1400mm(D)x1950mm(H)

適用標準

AEC-Q101 AEC-Q102 AQG324 JESD22-A101

適用器件

可對半導體分立器件(SiC MOSFET單管及模塊)進(jìn)行高溫動(dòng)態(tài)柵偏試驗