產(chǎn)品導航

高溫動(dòng)態(tài)反偏老化測試系統(DHTRB2000)

該系統針對SiC MOSFET進(jìn)行動(dòng)態(tài)反偏老化測試,測試方法參考AQG324。每個(gè)試驗區域可進(jìn)行最高12個(gè)工位的測試,工位具備獨立脈沖源配置??蔀槠骷峁?10°C-175°C的試驗溫度。具有試驗器件短路脫離試驗功能,可自動(dòng)將故障器件脫離老化試驗回路,不影響其他器件的正常試驗。

功能
  • nA級漏電流測試
  • 可根據不同器件封裝、功率等要求,定制專(zhuān)用老化測試板
  • 充分的實(shí)驗員人體安全考慮設定
產(chǎn)品特性

試驗溫度

室溫+10°C~175°C (熱板形式加熱)

老化測試區

8區(可擴容)

單區工位

12 (典型)

試驗方法

主動(dòng)式:Vgs = Vgs off被動(dòng)式:Vgs,off = VGS,min and VGS,on = VGS,max

電壓范圍

50V~1500V

電壓精度

1.脈沖頻率(方波):5KHZ~200kHz;精度:2%±2LSB

2.方波占空比20%~80%;精度:±2%
3.電壓上升率(Dv/Dt) ≥50V/ns
4.電壓過(guò)沖<15%

脈沖控制

1.脈沖頻率(方波):5kHz~200kHz;精度:2%±2LSB

2.方波占空比20%~80%;精度:±2%

3.電壓上升率 (Dv/Dt) ≥50V/ns

4.電壓過(guò)沖<15%

VGS電壓測控范圍-0.7V~-22V/0V

漏電流檢測 

檢測范圍:100nA~30mA

精度:

第一檔0.1uA~1mA 分辨率0.1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

第二檔1mA~30mA 分辨率1uA 漏電流測量誤差:1%±2LSB

整機供電

三相AC380V±38V

整機重量 

700KG(典型)

整機尺寸(典型) 

800mm(W) x 1400mm(D) x 1950mm(H)

適用標準

AEC-Q102 AOG324

適用器件

適用于二極管、三極管、MOSFET管、達林頓管、可控硅等,SIC、GAN、SCR等