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高溫反偏老化測試系統(HTRB3100)

該系統可進(jìn)行室溫+10℃~200℃的高溫反偏老化測試,老化過(guò)程中實(shí)時(shí)監測被測器件的漏電流狀態(tài)、被測器件的電壓狀態(tài),并根據需要記錄老化試驗數據,導出試驗報表。

功能
  • 使用熱平臺加熱方式對器件進(jìn)行加熱
  • 可實(shí)現每個(gè)器件獨立加熱平臺,獨立控溫
  • 良好的熱傳遞特性,針對IGBT模塊/分立器件高溫高漏電特性,可實(shí)現175Tj情況下穩定的HTRB試驗
  • 可定制獨立保護功能,實(shí)現單工位超限切斷
  • 充分的實(shí)驗員人體安全考慮設定
產(chǎn)品特性

試驗熱平臺

48個(gè)

試驗溫度

室溫+10℃~200℃

試驗區位

8個(gè)

老化電壓范圍

-2000V~+2000V

電壓檢測精度

±(1%+2LSB)

電流檢測范圍

10nA~50mA

電流檢測精度

±(1%+10nA)

整機供電

三相AC380V±38V

最大功率24KW (典型)

整機重量

1600KG (典型)

整機尺寸

左腔體: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H)

右腔體: 1500mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H)

控制柜: 600mm(W) x 1400mm(D) x 1980mm(H)

適用標準

MIL-STD-750D AQG324

適用器件

適用于MOS管、二極管、三極管、IGBT模塊、PIM模塊、可控硅等